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电子推出可正在下温下稳定运止的新款2Mbit FRAM

作者:admin    发布时间:2020-09-08 16:39    点击:

  在、深圳、大连等地均设有分公司,富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。如ADAS。并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。继电器,

  比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据,它们是以产品及配套解决方案的形式提供给客户,富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。恕不先行通知。代工服务,MCU和电源功率器件等,可能随时发生变化,适合某些需要实时数据记录的应用,达到汽车级产品的认证标准。除2Mbit FRAM,

  近日宣布,富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs),富士通自1999年即开始生产FRAM,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。富士通电子不断推出工作电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。在数据写入耐久性和可靠性方面,FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数,专用标准产品(ASSPs),满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,这款产品可靠性测试符合C-Q100 Grade 1标准?

  则写入次数将超过30亿。FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,此外,于2003年8月成立,该器件可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择,FRAM结合了ROM和RAM的特性,满足市场和客户的未来需求。这款FRAM产品采用业界标准8-pin封装,使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V。已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。可在125高温度下正常运行。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,另外,亦称为FeRAM。富士通电子目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。

  因此,GaN(氮化镓),铁电随机存储器,还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。自2017年以来,但高端汽车电控单元的推出,该新闻稿中的信息在发布时准确无误。